در این مقاله قصد داریم تا شما را با ترانزیستور ماسفت نوع N افزایشی به نام IRF840 که در مدارهای سوییچینگ بسیار پراستفاده است، آشنا کنیم.
این قطعه دارای توان در حدود 125 وات است و می تواند بارهای تا 500 ولت را پشتیبانی کند. حداکثر جریان درین این قطعه 8 آمپر و ظرفیت خازنی سورس درین 1450pF می باشد.
این دستگاه عمدتاً برای کاربردهای سوئیچینگ سریع استفاده می شود و دارای مقاومت حالت روشن (ON) بسیار کم 0.85 اهم است که مقاومت بین پایه های درین و سورس است.
IRF840 شامل سه پایه به نام های سورس، درین و گیت است. گاهی اوقات به عنوان یک قطعه چهار پایه نامیده می شود که بدنه آن (Body یا Substrate) نیز به عنوان یک پایه در نظر گرفته می شود.
پایه گیت بین پایه های سورس و درین قرار دارد و ناحیه ای است که برای بایاس قطعه استفاده می شود. در حالی که پایه درین مکانی است که الکترون ها از کانال خارج می شوند و پایه سورس مکانی است که الکترون ها از آنجا وارد کانال می شوند.
ماسفت ها عمدتاً به دو نوع اصلی به نام های ماسفت N-channel و P-channel دسته بندی می شوند. IRF840یک ماسفت کانال N است که در آن الکترون ها مسئول ایجاد جریان در داخل این قطعه هستند، برخلاف ماسفت های کانال P که حفره ها حامل های بار هستند که وظیفه هدایت داخل قطعه را بر عهده دارند.
توجه به این نکته ضروری است که حرکت الکترون ها بهتر از حرکت حفره های داخل ماسفت است. دلیل ترجیح ماسفت های کانال N بر ماسفت های کانال P در طیف وسیعی از کاربردها نیز همین است.
ماسفت در دو حالت یعنی حالت تخلیه و حالت افزایشی کار می کند.
ماهیت الکترون ها در هر دو حالت در ماسفت های کانال N برعکس است. در حالت افزایشی، زمانی که ولتاژ وجود ندارد، جریانی در کانال وجود نخواهد داشت. با این حال، هنگامی که ولتاژ در ترمینال گیت اعمال می شود، حرکت الکترون ها را افزایش می دهد و در نتیجه هدایت را افزایش می دهد.
از سوی دیگر، در حالت تخلیه، اگر ولتاژی در پایه گیت اعمال نشود، جریان در سراسر کانال وجود دارد. با این حال، هنگامی که ولتاژ در پایه گیت اعمال می شود، حرکت الکترون ها را کاهش می دهد و در نتیجه هدایت (رسانایی) کانال را کاهش می دهد.
دیتاشیت
قبل از استفاده از این قطعه بد نیست برگه اطلاعات آن را مرور کنید تا متوجه مشخصات اصلی آن شوید. برای دسترسی به دیتاشیت IRF840 رو این لینک کلیک کنید.
پایه های IRF840
شکل زیر نمودار پین اوت IRF840 را نشان می دهد.
IRF840 دارای سه پایه یعنی گیت، درین و سورس است.
توصیف پایه های IRF840 | ||||
شماره پایه | توصیف پایه | نام پایه | ||
1 | برای بایاس گیت استفاده می شود | گیت | ||
2 | الکترون از طریق این پایه کانال را ترک می کنند | درین | ||
3 | الکترون ها از طریق این پایه وارد کانال می شوند | سورس |
ویژگی های IRF840
ویژگی های اصلی IRF840 در زیر آمده است.
نوع = ماسفت N-Channel
دسته = سری IRF
قابلیت سوییچینگ سریع
اتلاف توان = 125 وات
جریان درین پیوسته (ID)=8A
ولتاژ آستانه یگت (VGS-th) = 10V (محدود = ±20V)
ولتاژ شکست درین به سورس = 500 ولت
مقاومت سورس درین (RDS) = 0.85 اهم
زمان صعود 23 نانوثانیه و زمان سقوط 20 نانوثانیه است
دمای محل اتصال = 150 درجه سانتیگراد
حداکثر جریان درین = 8A
خازن سورس درین = 1450pF
بسته موجود = TO-220
کاربردهای IRF840
IRF840 در موارد زیر استفاده می شود.
مورد استفاده در USP
مورد استفاده در پروژه های ابزار دقیق
در کاربردهای سوئیچینگ استفاده می شود
مورد استفاده در درایو موتورهای DC و موتورهای AC
مورد استفاده در اینورترها و مبدل های DC به DC
مورد استفاده در شارژرهای باتری
مورد استفاده در طراحی دیمرهای لامپ های ال ای دی
در کاربردهای ولتاژ بالا (High Voltage)
دیدگاههای بازدیدکنندگان
درود.مهندس خازن خروجی اگر همان بین سورس و درین است،که خیلی زیاد است که شما نوشته اید 1450 پیکوفاراد.اما در برگه مشخصات سازنده حدود 310پیکوفاراد نوشته است و خازن ورودی را 1300پیکوفاراد نوشته است.لطفا ما را راهنمایی کنید.تشکرات
12 روز پیش ارسال پاسخدرود بر شما
12 روز پیش ارسال پاسختشکر از دیدگاه شما
به نمودار ۵ دیتاشیت مراجعه کنید
در آنجا تغییرات خازن خروجی را نسبت به vds خواهید دید
بطور مثال در vds=2volt خازن خروجی ۱۴۵۰ پیکو و در vds=25 خازن خروجی ۳۱۰ پیکوفاراد است.