سلام دوستان! امیدواریم حال همگی شما خوب باشه. خوشحالیم از اینکه که آموزش ما رو مطالعه می کنید. در این مقاله، شما را با ترانزیستور ماسفت IRF1010E آشنا خواهیم کرد.

IRF1010E یک ماسفت قدرت با کانال N است که دارای مقاومت کم حالت روشن است و عمدتاً در کاربردهای سوئیچینگ سریع استفاده می شود. حداکثر توان اتلاف شده این قطعه 170 وات و جریان درین پالسی بسیار بالا یعنی 330 آمپر است.

مقدمه ای بر IRF1010E

IRF1010E یک ترانزیستور ماسفت قدرت با کانال N است که عمدتاً برای کاربردهای سوئیچینگ سریع استفاده می شود.

این ترانزیستور یک قطعه سه ترمینالی با پایه های درین، سورس و گیت است. این یک قطعه کنترل شده با ولتاژ است بر خلاف ترانزیستور پیوند دوقطبی که یک قطعه کنترل جریان با پایه های بیس، کلکتور و امیتر است.

پایه گیت در IRF1010E برای بایاس کردن ترانزیستور استفاده می شود در حالی که پایه سورس ناحیه ای است که الکترون ها وارد کانال می شوند در حالی که پایه درین ناحیه ای است که الکترون ها از کانال خارج می شوند.

ترمینال گیت بین پایه های سورس و درین قرار دارد و عرض کانال توسط ولتاژ روی پایه گیت کنترل می شود.

اصل کاری این ترانزیستور بر کنترل ولتاژ و جریان بین پایانه های سورس و درین نهاده شده است. خازن ماسفت جزء کلیدی است که نقش مهمی در عملکرد ترانزیستورهای ماسفت ایفا می کند.

ماسفت به دو صورت کار می کند، یعنی در حالت تخلیه (تهی) (Depletion) و حالت افزایشی (Enhancement). در طول حالت تخلیه، زمانی که هیچ ولتاژی در ترمینال گیت اعمال نمی شود، حداکثر رسانایی در سراسر کانال وجود دارد. با این حال، هنگامی که ولتاژ در ترمینال گیت اعمال می شود، منجر به کاهش رسانایی کانال می شود.

از سوی دیگر، در حالت افزایشی دقیقاً برعکس منطقه تخلیه عمل می کند. در اینجا وقتی ولتاژ وجود ندارد، رسانایی در سراسر کانال وجود ندارد. در حالی که وقتی ولتاژ اعمال می شود، منجر به افزایش رسانایی می شود.

دو نوع ماسفت در بازار موجود است یعنی ماسفت کانال P و ماسفت کانال N. ترانزیستور IRF1010E در رده ماسفت های کانال N قرار می گیرد که در آن الکترون ها به عنوان حامل بار در آن جریان دارند، در مقابل ماسفت های کانال P که حفره ها حامل های اصلی بار هستند.

ماسفت IRF1010E دارای مقاومت پایین در حالت روشن بودن ماسفت است که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ کم افت مناسب می کند. افت کم منجر به تلفات کم توان می شود و از این رو راندمان بیشتر را تضمین می کند. از این قطعه برای کاربردهای با راندمان بالا نیز استفاده می شود.

Introduction to irf1010e, irf1010e pinout, irf1010e features, irf1010e applications

برگه اطلاعات IRF1010E

عاقلانه است که قبل از استفاده از این قطعه در پروژه خود، برگه اطلاعات آن را مرور کنید. دیتاشیت هر قطعه الکترونیکی ویژگی های اصلی آن را نشان می دهد. برای دانلود دیتاشیت IRF1010E روی لینک زیر کلیک کنید.

پایه های IRF1010E

شکل زیر نمودار پایه های IRF1010E را نشان می دهد.

ویژگی های IRF1010E

ویژگی های اصلی IRF1010E در زیر آمده است.

با تکنولوژی فرآیند پیشرفته توسعه یافته است

مورد استفاده در سوئیچینگ سریع

دارای رتبه کاملاً بهمنی

حداکثر دمای عملیاتی = 175 درجه سانتیگراد

ماکزیمم ولتاژ دو طرف گیت و سورس = 20 ولت

حداکثر جریان پیوسته مجاز درین = 81 آمپر

حداکثر ولتاژ بین ذرین و سورس = 60 ولت

این HEXFET نسل پنجم است

حداکثر جریان تخلیه پالسی = 330 آمپر

حداکثر اتلاف توان = 170 وات

جایگزین های IRF1010E

موارد زیر جایگزین های IRF1010E هستند.

IRFB4110

IRFB4310Z

IRFB4115

IRFB4410

IRF1407

IRFB4110G

IRFB4310ZG

قبل از اینکه آنها را در پروژه خود بگنجانید، پایه های این جایگزین ها را دوباره بررسی کنید، زیرا ممکن است پایه های آن ها با پایه های IRF1010E متفاوت باشد.

کاربردهای IRF1010E

این قطعه در کاربردهای زیر استفاده می شود.

مورد نیاز در واحدهای کنترل سرعت

در کاربردهای PWM گنجانده شده است

در درایورهای رله استفاده می شود

در منبع تغذیه حالت سوئیچ (SMPS) استفاده می شود

مورد استفاده در سیستم های روشنایی

در هر کاربرد سوئیچینگ استفاده می شود.