ترانزیستور
آشنایی با ترانزیستور (Transistor) NPN به شماره 2N2222
/post-140این ترانزیستور یکی از متداول ترین ترانزیستورهای اتصال دوقطبی منفی-مثبت-منفی (NPN) (BJT) است که در حال حاضر در بازار موجود است. 2N2222 را می توان برای مقاصد مختلف به عنوان مثال سوئیچینگ و تقویت سیگنال های آنالوگ استفاده کرد. حوزه کاربردی اصلی 2N2222 در بسته بندی TO-18 محصور شده است. به دلیل هزینه کم و اندازه کوچک، پرکاربردترین ترانزیستور است...
آشنایی با دیود زنر (Zener Diode) با شماره 1N4744 و مشخصات 1 وات 15 ولت
/post-123در این مقاله، به شما یک دیود زنر 15 ولت و 1W (یک وات) با مشخصه 1N4744 معرفی خواهیم کرد.1N4744 یک دیود زنر قدرت سیلیکونی است که به عنوان تنظیم کننده ولتاژ جریان پایین استفاده می شود. این قطعه به عنوان یک تنظیم کننده شنت در بسیاری از کاربردها گنجانده شده است. دیود زنر، برخلاف دیود معمولی که فقط در یک جهت هدایت می کند، جریان را در هر دو جهت هدایت می کند، یعنی دیود معمولی فقط در حالت بایاس مستقیم هدایت می کند در حالیکه دیود زنر در هر دو حالت بایاس مستقیم با ولتاژ آستانه 1.2 ولت و بایاس معکوس با ولتاژ 15 ولت هدایت می کند. اتلاف توان در این دیود زنر 1 وات است...
آشنایی با دیود زنر (Zener Diode) با شماره 1N4734 و مشخصات 1 وات 5.6 ولت
/post-121در این مقاله، به شما یک دیود زنر 5.6v و 1W (یک وات) با مشخصه 1N4734 معرفی خواهیم کرد.1N4734 یک دیود زنر قدرت سیلیکونی است که به عنوان تنظیم کننده ولتاژ جریان پایین استفاده می شود. این قطعه به عنوان یک تنظیم کننده شنت در بسیاری از کاربردها گنجانده شده است. دیود زنر، برخلاف دیود معمولی که فقط در یک جهت هدایت می کند، جریان را در هر دو جهت هدایت می کند، یعنی دیود معمولی فقط در حالت بایاس مستقیم هدایت می کند در حالیکه دیود زنر در هر دو حالت بایاس مستقیم و بایاس معکوس هدایت می کند. اتلاف توان در این دیود زنر 1 وات و تحمل ولتاژ زنری 10 ± است...
آشنایی با دیود شاتکی (Schottky Diode) به شماره SR560 (دیود شاتکی 5 آمپر)
/post-120در این مقاله، مقدمه ای را در خصوص دیود شاتکی به شماره SR560 ارائه خواهیم داد. دیود شاتکی (Schottky Diode)، دیود حامل گرم نیز نامیده می شود و برای سوئیچینگ بسیار سریع استفاده می شود. این دیود زمانی تشکیل می شود که ماده فلزی با مواد نیمه هادی ترکیب شود. این ترکیب منجر به تشکیل سدی می شود که جریان الکترون ها را مسدود می کند...
آشنایی با دیود شاتکی (Schottky Diode) به شماره 1N5822 (دیود شاتکی 3 آمپر)
/post-118در این مقاله، مقدمه ای را در خصوص دیود شاتکی به شماره 1N5822 ارائه خواهیم داد. دیود شاتکی (Schottky Diode)، دیود حامل گرم نیز نامیده می شود و برای سوئیچینگ بسیار سریع استفاده می شود. این دیود زمانی تشکیل می شود که ماده فلزی با مواد نیمه هادی ترکیب شود. این ترکیب منجر به تشکیل سدی می شود که جریان الکترون ها را مسدود می کند...
آشنایی با دیود شاتکی (Schottky Diode) به شماره 1N5820 (دیود شاتکی 3 آمپر)
/post-117در این مقاله، مقدمه ای را در خصوص دیود شاتکی به شماره 1N5820 ارائه خواهیم داد. دیود شاتکی (Schottky Diode)، دیود حامل گرم نیز نامیده می شود و برای سوئیچینگ بسیار سریع استفاده می شود. این دیود زمانی تشکیل می شود که ماده فلزی با مواد نیمه هادی ترکیب شود...
آشنایی با دیود شاتکی (Schottky Diode) به شماره 1N5819
/post-116در این مقاله، مقدمه ای را در خصوص دیود شاتکی به شماره 1N5819 ارائه خواهیم داد. دیود شاتکی (Schottky Diode)، دیود حامل گرم نیز نامیده می شود و برای سوئیچینگ بسیار سریع استفاده می شود. این دیود زمانی تشکیل می شود که ماده فلزی با مواد نیمه هادی ترکیب شود. این ترکیب منجر به تشکیل سدی می شود که جریان الکترون ها را مسدود می کند...
آشنایی با ترانزیستور ماسفت قدرت (MOSFET) با مشخصه IRF1010
/post-110IRF1010E یک ماسفت قدرت با کانال N است که دارای مقاومت کم حالت روشن است و عمدتاً در کاربردهای سوئیچینگ سریع استفاده می شود. حداکثر توان اتلاف شده این قطعه 170 وات و جریان درین پالسی بسیار بالا یعنی 330 آمپر است.
آشنایی با ترانزیستور ماسفت (MOSFET) با مشخصه BSS138
/post-108BSS138 یک ترانزیستور اثر میدانی افزایشی N-Channel است که در بسته نصب سطحی SOT-23 (smd) موجود است. دارای خازن ورودی کم در حدود 40pF و مقاومت پایین حالت در حدود 3.5 اهم است. سرعت سوئیچینگ بالا و ولتاژ آستانه پایین این دستگاه را به گزینه ای ایده آل برای کاربردهای مدار بالا یا پایین رونده سطح ولتاژ تبدیل کرده است...
معرفی ترانزیستور ماسفت (MOSFET) با مشخصه IRF520
/post-107IRF520 یک ماسفت قدرت کانال N است که عمدتاً برای اهداف سوئیچینگ و تقویت استفاده می شود. دارای ولتاژ شکست حدود 100 ولت و ولتاژ آستانه پایین دروازه 4 ولت است که آن را به انتخابی ایده آل برای کاربردهای میکروکنترلری تبدیل می کند...