IRF840
معرفی ترانزیستور دوقطبی NPN قدرت (Power BJT NPN) به شماره 2N3772
/post-161در این مقاله، بحث مفصلی راجع به ترانزیستور دوقطبی BJT قدرت به شماره 2N3772 ارائه خواهیم کرد. 2N3772 اساساً یک ترانزیستور BJT منفی مثبت منفی (NPN) است. ترانزیستور قدرت در واقع ترانزیستوری است که تحمل ولتاژ و جریان (توان) معینی را دارد. این ترانزیستور از سه پایه مختلف تشکیل شده است...
معرفی ترانزیستور دوقطبی NPN قدرت (Power BJT NPN) به شماره 2sc3320
/post-160در این مقاله، بحث مفصلی راجع به ترانزیستور دوقطبی BJT قدرت به شماره 2sc3320 ارائه خواهیم کرد. 2sc3320 اساساً یک ترانزیستور BJT منفی مثبت منفی (NPN) است. ترانزیستور قدرت در واقع ترانزیستوری است که تحمل ولتاژ و جریان (توان) معینی را دارد. این ترانزیستور از سه پایه مختلف تشکیل شده است...
معرفی ترانزیستور ماسفت قدرت (Power Mosfet) به شماره 50N06
/post-159در این مقاله، بحث مفصلی راجع به ماسفت قدرت به شماره 50N06 ارائه خواهیم کرد. 50N06 اساساً یک ترانزیستور اکسید فلز اثر میدان (MOSFET) است. ماسفت ترانزیستوری است که اغلب در دستگاه های الکترونیکی برای اهداف تقویت و سوئیچینگ سریع استفاده می شود...
معرفی ترانزیستور ماسفت قدرت (Power Mosfet) به شماره 75N75
/post-158در این مقاله، بحث مفصلی راجع به ماسفت قدرت به شماره 75N75 ارائه خواهیم کرد. 75N75 اساساً یک ترانزیستور اکسید فلز اثر میدان (MOSFET) است. ماسفت ترانزیستوری است که اغلب در دستگاه های الکترونیکی برای اهداف تقویت و سوئیچینگ سریع استفاده می شود. ماسفت از چهار پایه مختلف تشکیل شده است...
معرفی ترانزیستور ماسفت (MOSFET) قدرت به شماره 20N60
/post-157در این مقاله قصد داریم توضیحاتی در مورد ترانزیستور ماسفت (MOSFET) قدرت به شماره 20N60 به شما ارائه کنیم. 20N60 اساساً یک ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلز با پیوند اثر میدانی (MOSFET) قدرت است. ماسفت پاور قطعه الکترونیکی است که می تواند سطح خاصی از قدرت (جریان/ولتاژ) را تحمل کند...
آشنایی با ترانزیستور ماسفت قدرت (MOSFET) با مشخصه IRF1010
/post-110IRF1010E یک ماسفت قدرت با کانال N است که دارای مقاومت کم حالت روشن است و عمدتاً در کاربردهای سوئیچینگ سریع استفاده می شود. حداکثر توان اتلاف شده این قطعه 170 وات و جریان درین پالسی بسیار بالا یعنی 330 آمپر است.
آشنایی با ترانزیستور ماسفت (MOSFET) با مشخصه BSS138
/post-108BSS138 یک ترانزیستور اثر میدانی افزایشی N-Channel است که در بسته نصب سطحی SOT-23 (smd) موجود است. دارای خازن ورودی کم در حدود 40pF و مقاومت پایین حالت در حدود 3.5 اهم است. سرعت سوئیچینگ بالا و ولتاژ آستانه پایین این دستگاه را به گزینه ای ایده آل برای کاربردهای مدار بالا یا پایین رونده سطح ولتاژ تبدیل کرده است...
معرفی ترانزیستور ماسفت (MOSFET) با مشخصه IRF520
/post-107IRF520 یک ماسفت قدرت کانال N است که عمدتاً برای اهداف سوئیچینگ و تقویت استفاده می شود. دارای ولتاژ شکست حدود 100 ولت و ولتاژ آستانه پایین دروازه 4 ولت است که آن را به انتخابی ایده آل برای کاربردهای میکروکنترلری تبدیل می کند...